联系人：杨小姐
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SI3590DV-T1-GE3-VB是VBsemi品牌生产的双路N+P—Channel沟道功率MOSFET，采用SOT23-6封装。它集成了两个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET，具有双向电流传输能力，适用于多种功率管理和开关电路设计。 ### 详细参数说明 - **电压额定值 (VDS):**_±20V - **N沟道电流额定值 (ID):**_7A - **P沟道电流额定值 (ID):**_-4.5A - **N沟道导通电阻 (RDS(ON)):**_20mΩ @ VGS = 4.5V - **P沟道导通电阻 (RDS(ON)):**_70mΩ @ VGS = 4.5V - **阈值电压 (Vth):**_N沟道：0.71V，P沟道：-0.81V - **最大栅极—源极电压 (VGS(max)):**_±20V
联系人：肖先生
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