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SI3495DV-T1-E3供应商库存(更新时间:2024-05-01 23:00)

SI3495DV-T1-E3参数规格

功能描述:MOSFET 20V 7.0A 2.0W 24mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI3495DV-T1-E3价格

参考价格:3.5940

型号:SI3495DV-T1-E3 品牌:Vishay 说明:SI3495DV-T1-E3多少钱,2024年最近一个月行情走势,SI3495DV-T1-E3批发/采购报价,SI3495DV-T1-E3行情走势销售排行榜,SI3495DV-T1-E3报价。

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