SI3477DV-T1-GE3供应商库存(更新时间:2026-04-24 11:16)
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深圳市坤融电子科技有限公司
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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深圳市能元时代电子有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市华高宇电子有限公司
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深圳市宇创芯科技有限公司
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深圳市凌旭科技有限公司
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深圳市盈慧通电子有限公司
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现代芯城(深圳)科技有限公司
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深圳市赛美科科技有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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千层芯半导体(深圳)有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市诺美思科技有限公司
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深圳市正纳电子有限公司
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地址:深圳市福田区振兴路113号新欣大厦B座318
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深圳市华康联电子科技有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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SI3477DV-T1-GE3参数规格
功能描述:MOSFET -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI3477DV-T1-GE3价格
参考价格:2.2366
型号:SI3477DV-T1-GE3
品牌:Vishay
说明:SI3477DV-T1-GE3多少钱,2026年最近一个月行情走势,SI3477DV-T1-GE3批发/采购报价,SI3477DV-T1-GE3行情走势销售排行榜,SI3477DV-T1-GE3报价。
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