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STMICROELECTRONICS
意法半导体(ST)集团
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
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意法半导体(ST)集团
Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 m廓 typ., 40 A in a PowerFLAT 8x8 HV package
STMICROELECTRONICS
意法半导体(ST)集团
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package