制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247N-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 14 A
Rds On-漏源导通电阻: 364 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 36 nC
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 108 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 29 ns
正向跨导 - 最小值: 1.4 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 19 ns
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子类别: MOSFETs
晶体管类型: Automotive Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 47 ns
典型接通延迟时间: 19 ns
