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深圳锐骏半导体股份有限公司
P-Channel Advanced Power MOSFET Super High Dense Cell Design
RU40120R40V/120ATO220N沟道功率MOSFET RU40120R，漏源导通电阻3.5mΩ 漏源电压VDS为40V，TC=25℃时漏极连续电流ID为120A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为3.5mΩ（VGS=10V，IDS=60A）。
发布时间：2022-11-23RU60200R，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.
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