摘要：RU40120R 40V/120A TO220 N沟道功率MOSFET
RU40120R，漏源导通电阻3.5mΩ
漏源电压VDS为40V，TC=25℃ 时漏极连续电流ID为120A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为3.5mΩ（VGS=10V，IDS=60A）。
RU40120R 40V/120A TO220 N沟道功率MOSFET
RU40120R，漏源导通电阻3.5mΩ
漏源电压VDS为40V，TC=25℃ 时漏极连续电流ID为120A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为3.5mΩ（VGS=10V，IDS=60A）。
特点：
40V/120A
RDS(ON)=3.5mΩ(Typ)@VGS=10V
超高密度单元设计
超低导通电阻
100%雪崩测试
无铅和绿色环保器件（符合RoHS标准）
应用：
DC-DC转换器
