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RU40120R40V/120ATO220N沟道功率MOSFET
RU40120R,漏源导通电阻3.5mΩ
漏源电压VDS为40V,TC=25℃时漏极连续电流ID为120A(VGS=10V),漏源导通电阻RDS(ON)典型值为3.5mΩ(VGS=10V,IDS=60A)。
发布时间:2022-11-23
RU40D20M3
发布时间:2022-11-03
RU602B,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三,V:八七六八零五五八.
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发布时间:2021-05-27