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RU40120R

RU40120R 40V/120A TO220 N沟道功率MOSFET RU40120R，漏源导通电阻3.5mΩ 漏源电压VDS为40V，TC=25℃ 时漏极连续电流ID为120A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为3.5mΩ（VGS=10V，IDS=60A）。

发布时间：2022-11-23

RU40D20M3

RU40D20M3

发布时间：2022-11-03

RU30L30M

RU30L30M，P沟道 30V 30A，场效应管(MOSFET)

发布时间：2022-06-12

RU3091M

RU3091M，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一企鹅:一一七四零五二三五三，V:八七六八零五五八.

发布时间：2021-08-16

RU3090M

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发布时间：2021-08-16

RU40120M

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发布时间：2021-05-27
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