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技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 9 A
Rds On-漏源导通电阻: 150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
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