摘要：进口代理
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: D2PAK-7
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 25 A
Rds On-漏源导通电阻: 87 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.4 V
Qg-栅极电荷: 57 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 172 W
通道模式: Enhancement
系列: NVBG070N120M3S
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 8.8 ns
正向跨导 - 最小值: 12 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
800
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 30 ns
典型接通延迟时间: 11 ns
