STW34NM60ND
来源：
深圳市瑞冠伟业科技有限公司
发布时间：2021-06-09
摘要：製造商: STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Id - C連續漏極電流: 29 A
Rds On - 漏-源電阻: 110 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 25 V， + 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 :
製造商: STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 600 V
Id - C連續漏極電流: 29 A
Rds On - 漏-源電阻: 110 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 25 V， + 25 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 3 V
Qg - 閘極充電: 80.4 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 190 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
配置: Single
系列: STW34NM60ND
晶體管類型: 1 N-Channel
品牌: STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
原廠包裝數量: 600
子類別: MOSFETs
每件重量: 6 g
