FF200R12KT4，分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块
来源：
深圳市盛江半导体有限公司
发布时间：2022-06-27
摘要：
Infineon Technologies 分立半导体产品 晶体管
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
半桥
电压 - 集射极击穿（最大值）
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
320 A
功率 - 最大值
1100 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2.15V @ 15V，200A
电流 - 集电极截止（最大值）
5 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
14 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
