IPB072N15N3GATMA1，分立半导体产品 晶体管 - FET
来源：
深圳市盛江半导体有限公司
发布时间：2022-06-27
摘要：
Infineon Technologies ，应用
参数
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.2 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 270μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
93 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5470 pF @ 75 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
