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AT45DB041E-SSHN-T

来源: 深圳市芯福林电子科技有限公司 发布时间:2022-06-01

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摘要:AT45DB041E-SSHN-T
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是否Rohs认证 符合 符合
生命周期 Transferred
Objectid 1239228136
零件包装代码 SOIC
包装说明 SOP, SOP8,.25
针数 8
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8542.32.00.51
风险等级 5.55
最大时钟频率 (fCLK) 70 MHz
数据保留时间-最小值 20
耐久性 100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4
长度 4.925 mm
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内存密度 4194304 bit
内存集成电路类型 FLASH
内存宽度 1
功能数量 1
端子数量 8
字数 4194304 words
字数代码 4000000
工作模式 SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 4MX1
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP
封装等效代码 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
并行/串行 SERIAL
电源 1.8/3.3 V
编程电压 2.7 V
认证状态 Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm
串行总线类型 SPI
最大待机电流 0.00001 A
子类别 Flash Memories
最大压摆率 0.026 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 1.65 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子面层 NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式 GULL WING
端子节距 1.27 mm
端子位置 DUAL
类型 NOR TYPE
宽度 3.9 mm
写保护 HARDWARE/SOFTWARE
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