您好,欢迎来到97ic电子库存网!收藏本站
您所在的位置:首页行业新闻FDC638P ON/安森美 SSOT-6 贴片P沟道 20V 4.5A MOS场效应管

FDC638P ON/安森美 SSOT-6 贴片P沟道 20V 4.5A MOS场效应管

来源: 深圳市宗天技术开发有限公司 发布时间:2022-02-21

公司名: 深圳市宗天技术开发有限公司

联系人:曹小姐

微信:19166207802

手机:19166207802

电话:0755-88601327

传真:0755-88601327

地址:深圳市福田区福田街道福南社区深南中路3007号国际科技大厦3804

摘要:FDC638P
深圳市宗天技术开发有限公司 公司经销Infineon,IR,FAIRCHILD,ST,FUJI,TOSHIBA,SANYO等国际**品牌,
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列,
主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/LED照明电源、
UPS电源/电动车控制器、HID灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。

制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SSOT-6
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 4.5 A
Rds On-漏源导通电阻: 48 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V
Qg-栅极电荷: 14 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 9 ns
正向跨导 - 最小值: 15 S
高度: 1.1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 9 ns
系列: FDC638P
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 33 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
宽度: 1.6 mm
零件号别名: FDC638P_NL
单位重量: 36 mg