摘要：原装正品现货
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 89 A
Rds On-漏源导通电阻: 10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V， + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 65.3 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 170 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 78 ns
正向跨导 - 最小值: 50 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 140 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: HEXFET Power MOSFET
典型关闭延迟时间: 37 ns
典型接通延迟时间: 12 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: SP001558052
单位重量: 330 mg
