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DMT10H072LFV-7

来源: 深圳市瑞冠伟业科技有限公司 发布时间:2021-10-14

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摘要:DMT10H072LFV-7
製造商: Diodes Incorporated
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerDI3333-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 100 V
Id - C連續漏極電流: 20 A
Rds On - 漏-源電阻: 62 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1.5 V
Qg - 閘極充電: 4.5 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 37.8 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Diodes Incorporated
配置: Single
下降時間: 4.3 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 3.1 ns
原廠包裝數量: 2000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 12.3 ns
標準開啟延遲時間: 3 ns
每件重量: 30 mg

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