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RM516L121A-E2模块

来源: 深圳市鑫远鹏科技有限公司 发布时间:2023-12-08

公司名: 深圳市鑫远鹏科技有限公司

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摘要:Nisshinbo 基于 CMOS 的低压降压 DC/DC 模块通过超低静态电流实现高效率
随着产品的小型化,在有限的安装面积上放置电子元件变得越来越困难。在这种情况下使用 DC/DC 转换器需要设计人员注意布线方式。此外,安装面积的限制可能导致无法构建推荐的样式。

RM516 和 RM517 系列是分别包含最大输出电流 100 mA 或 300 mA 降压 DC/DC 开关稳压器和内置电感器的模块。这些产品采用小而薄的 QFN2430-8 封装,尺寸为 2.4 mm x 3.0 mm x 0.8 mm。它们仅需要两个外部电容器,从而无需复杂的接线,并且可以轻松设计紧凑的电路板。

输出电压范围为 0.3 V 至 1.2 V(可按 0.1 V 步进设置)。输入电压范围为 1.8 V 至 5.5 V,空载电流消耗为 0.3 μA(典型值)。这些产品通过实现低工作电压,为物联网设备的构建和长电池寿命做出贡献,预计未来将继续发展,并具有超低功耗。

RM516 和 RM517 通过在 IC 旁边放置薄型电感器而实现 0.8 mm 的封装高度,从而实现有高度限制的电路板安装。借助内置电感器,只需将输入和输出电容器任意放置在产品附近即可,从而简化了电路板设计。因此,这些产品通过减少选择电感器的时间和对产品寿命结束的担忧,有助于解决客户的问题。

RM516/RM517 通过 VFM 控制减少待机模式期间的无效功率,从而降低总功耗,延长电池寿命并缩小电池尺寸。由于 RM516 系列中包含的 IC 和电感器是在 Nisshinbo Group 的工厂制造,并且这些产品计划适用于维持 10 年供应状态的产品寿命计划,因此可以长时间使用而无需担心。

特性
输出电流:100 mA/300 mA
输出电压范围:0.3 V 至 1.2 V,增量为 0.1 V
输出电压精度:±18 mV
内置 MOSFET 导通电阻 (VIN = 3.6V):PMOS 典型值 0.19 Ω,NMOS 典型值 0.19 Ω
内置电感器
电源电流:0.01 μA
应用
智能手表、智能手环、健康监测等可穿戴设备
使用锂离子电池或纽扣电池的设备
低功耗 RF,例如 Bluetooth® 低功耗、Zigbee、Wi-SUN 和 ANT
低功耗 CPU、内存、传感器设备和能量采集器