UCC21520QDWRQ1是一款隔离式双通道栅极具有 4A 源电流和 6A 吸收峰值电流的驱动器。它旨在驱动功率 MOSFET、IGBT 和最高 5 MHz 的 SiC MOSFET，具有一流的性能传播延迟和脉宽失真。输入端与两个输出驱动器隔离通过 5.7-kVRMS 增强型隔离屏障，具有最低 100V/ns 共模瞬态免疫（CMTI）。之间的内部功能隔离两个次级驱动器允许工作电压高达 1500 VDC。每个驱动器都可以配置为两个低端驱动器、两个高端驱动器或一个半桥驱动器具有可编程死区时间 (DT)。一个禁用引脚同时关闭两个输出，并允许开路或接地时正常运行。作为一个故障安全措施，初级侧逻辑故障强制两个输出低。每个器件接受 VDD 电源电压高达 25V. 3 V 至 18 V 的宽输入 VCCI 范围使得适合与模拟和接口连接的驱动程序数字控制器。所有电源电压引脚都低于电压锁定 (UVLO) 保护。凭借所有这些高级功能，UCC21520QDWRQ1实现高效率、高功率密度和稳健性。
