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IRF7820TRPBF场效应管(MOSFE

来源: 深圳市众芯源半导体有限公司 发布时间:2023-04-24

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摘要:IRF7820TRPBF场效应管(MOSFE
类型:N沟道 漏源电压(Vdss):200V 连续漏极电流(Id):3.7A 功率(Pd):2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):78mΩ@10V,2.2A