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PSMQC040N10NS2_R2_00601 MOSFET

来源: 深圳市鑫远鹏科技有限公司 发布时间:2023-03-08

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摘要:SGT MOSFET 具有优异的品质因数 (FOM),是 DC/DC 转换器的最佳解决方案
第二代屏蔽栅极沟槽 (SGT) MOSFET 具有出色的品质因数 (FOM) 质量,可为砖模块中的直流/直流转换器拓扑提供高效的设计解决方案。

该 100 V SGT 系列具有 18 个标准部件和 17 个逻辑电平部件。PANJIT 的晶圆技术可让 2 代 MOSFET 产生低栅极电荷和 RDS(ON),让传导损耗变得最小,并得到出色的 FOM,以优化各种拓扑效率。

PANJIT 的第二代 SGT MOSFET 因其出色的系统效率性能和产品特性而成为 DC/DC 转换器的最佳选择。DC/DC 转换器是一种电源转换系统,广泛应用于工业设备,例如电信或工业电源。这些最新的 SGT MOSFET 针对高开关应用环境进行了优化,可以提供这类应用需要的极高效率和可靠性。

该系列具有各种尺寸和封装选项,可完全适应所有砖块尺寸和应用。可用尺寸包括半砖、四分之一砖、八分之一砖、十六分之一砖和三十二分之一砖。可用封装包括 DFN5060 和 DFN3333。PANJIT 的第二代 SGT MOSFET 为 DC/DC 转换器系统以及 LLC、PSFB、同步降压电路和汽车 DC/DC 48 V 系统的各种应用提供简易高效的设计解决方案,这些系统都需要低 FOM 和高电压 MOSFET。

特性
出色的 FOM
低 RDS(ON),以最小化传导损耗
环保产品的出色系统效率
针对高开关应用进行了优化
应用
砖式电源
工业电源
汽车 48 V 系统