摘要：优势渠道
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
590mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
495 毫欧 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（典型值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.54 nC @ 8 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
80 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
240mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-523
封装/外壳
SOT-523
基本产品编号
DMP21
