RU30160R

来源：深圳市晨豪科技有限公司发布时间：2022-11-23

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摘要：RU30160R 30V/160A N沟道功率MOSFET 特性 30V/160A RDS（ON）=2.3mΩ（典型值）@VGS=10V 超高密度电池设计超低导通电阻 100%雪崩测试提供无铅绿色器件（符合RoHS规范）应用： DC-DC转换器

RU30160R 30V/160A N沟道功率MOSFET
特性
30V/160A
RDS（ON）=2.3mΩ（典型值）@VGS=10V
超高密度电池设计
超低导通电阻
100%雪崩测试
提供无铅绿色器件（符合RoHS规范）
应用： DC-DC转换器

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