摘要：RU8205G 双N沟道(共漏) 20V 6A TSSOP-8 场效应管(MOSFET)
双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：21mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：10nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：580pF@1
RU8205G 双N沟道(共漏) 20V 6A TSSOP-8 场效应管(MOSFET)
双N沟道(共漏) 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：21mΩ@4.5V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：10nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：580pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：95pF@10V 工作温度：+150℃@(Tj)
RU8205G 漏源电压20V，漏极持续电流6A(@VGS=4.5V，TA=25℃)，最大结温150℃。具有超高密度单元设计、可靠坚固、无铅环保等特点，适用于电源管理。
特点：
漏源电压20V，漏极持续电流6A(@VGS=4.5V，TA=25℃)
导通电阻：
典型值21mΩ(Typ.)@VGS=4.5V
典型值30mΩ(Typ.)@VGS=2.5V
超高密度单元设计
可靠，坚固
无铅环保(符合RoHS标准）
应用：
电源管理
