NE722S01供应商库存(更新时间:2024-04-28 21:40)
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36000
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深圳市星宇佳科技有限公司
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NE722S01-T1
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3195
SMT-89
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深圳市亿联芯电子科技有限公司
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3195
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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NE722S01-T1B
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3432
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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6852
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NE722S01-T1
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265209
SMT-89
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深圳市凯斯宇科技有限公司
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NE722S01-T1
NEC
540
SMT-89
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NE722S01-T1B
NEC-日本电气
18800
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深圳市宝隆宏业科技有限公司
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33000
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深圳市汇莱威科技有限公司
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深圳市近平电子有限公司
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DIP/SMD
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深圳市威尔健半导体有限公司
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NE722S01-T1B
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50000
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全新原装正品现货,支持订货
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深圳市振芯物联科技有限公司
联系人:张先生(公司为一般纳税人,可开13%增票)
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NE722S01-T1B
NEC
28600
SMT-89
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只做原装正品现货假一赔十一级代理
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深圳深宇韬电子科技有限公司
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NE722S01-T1B
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8800
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2023+
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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深圳市安富世纪电子有限公司
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NE722S01-T1
NEC
50000
SMT-89
21+
全新原装正品现货,支持订货
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NE722S01参数规格
功能描述:射频GaAs晶体管 C-X Band GaAs MESFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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