NE5520279A供应商库存(更新时间:2024-05-11 11:12)
-
深圳市博浩通科技有限公司
联系人:罗小姐/王先生
电话:0755-82819109/83242993
手机:19166251668
QQ:
地址:国内业务:深圳市福田区华强北宝华大厦A座808,国际业务:深圳市福田区华强北路赛格广场3510A室
NE5520279A
NEC
10000
79A
23+
全新原装
-
询价
-
深圳市力通伟业半导体有限公司
联系人:陈先生◆专业经营内存◆闪存◆高通★XILINX★ALTREA系列
电话:0755-88859789(原厂授权经销商)/0755-82572336(陈先生)
手机:135-9027-9456(陈先生)
QQ:
地址:深圳市福田区中航路鼎诚国际1619
NE5520279A
NEC
36000
79A
13+
特价热销现货库存
-
询价
-
深圳市永贝尔科技有限公司
联系人:吴丽洁
电话:0755-83253883
手机:18664393419
QQ:
地址:深圳市福田区华强北路赛格广场68楼6811A
NE5520279A
CEL
19960
原厂原包
23+
只做进口原装 终端工厂免费送样
-
询价
-
深圳市科恒伟业电子有限公司
联系人:李小姐/黄先生
电话:0755-82569753
手机:13424246946
QQ:
地址:深圳市福田区振兴路101号华匀1栋5楼B14
NE5520279A-T1
RENESAS/瑞萨
9852
79A
21+
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
-
询价
-
千层芯半导体(深圳)有限公司
联系人:罗先生,张先生,吴小姐
电话:0755-83978748/0755-23611964
手机:13760152475/18998940267
QQ:
地址:深圳市福田区华强北街道华航社区振兴路109号华康大院2栋2层216-1
NE5520279A-A
CEL
4000
原厂原装
17+
原装正品
-
询价
-
深圳市科恒伟业电子有限公司
联系人:李小姐
电话:0755-83200050-83205202
手机:15817287769/13424246946
QQ:
地址:深圳市福田区振兴路101号华匀1栋5楼B14
NE5520279A-T1
RENESAS/瑞萨
6852
79A
1948+
只做原装正品现货!或订货假一赔十!
-
询价
-
深圳市博浩通科技有限公司
联系人:罗小姐/王先生
电话:0755-82819109/83242993
手机:19166251668
QQ:
地址:国内业务:深圳市福田区华强北宝华大厦A座808,国际业务:深圳市福田区华强北路赛格广场3510A室
NE5520279A
NEC
10000
79A
23+
全新原装
-
询价
-
深圳市明嘉莱科技有限公司
联系人:王先生/刘小姐
电话:19168723354/19168723317
手机:19168723354
QQ:
地址:深圳市福田区振华路118号华丽大院西座1栋518
NE5520279A-T1-A
NEC
990000
PBF
24+
明嘉莱只做原装正品现货
-
询价
-
深圳市特顺芯科技有限公司
联系人:钟R/曾S
电话:公司0755-83789203/柜台:17727932378
手机:13332987005
QQ:
地址:深圳市福田区华强北佳和大厦B座1010室
NE5520279A-A
NEC
85
79A
07+/08+
-
询价
-
上海市鑫鸿达电子
联系人:杨小姐/张先生
电话:021-51872153/51872165
手机:13701726215
QQ:
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城
NE5520279A-T1-A
07
1000
2022+
全新原装 货期两周
-
询价
-
深圳市力通伟业半导体有限公司
联系人:陈先生◆专业经营内存◆闪存◆高通★XILINX★ALTREA系列
电话:0755-88859789(原厂授权经销商)/0755-82572336(陈先生)
手机:135-9027-9456(陈先生)
QQ:
地址:深圳市福田区中航路鼎诚国际1619
NE5520279A
NEC
36000
79A
13+
特价热销现货库存
-
询价
-
深圳市永贝尔科技有限公司
联系人:吴丽洁
电话:0755-83253883
手机:18664393419
QQ:
地址:深圳市福田区华强北路赛格广场68楼6811A
NE5520279A
CEL
19960
原厂原包
23+
只做进口原装 终端工厂免费送样
-
询价
NE5520279A参数规格
功能描述:射频MOSFET电源晶体管 L/S Band Med Power RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
- IC型号
- 品牌 / 原厂
- 描述
- 供应商库存
- 资料下载
-
NE5520279A
-
RENESAS
瑞萨科技有限公司
-
SILICON POWER MOS FET
-
查看库存
-
资料下载
NE5520279A相关新闻
DIN導軌電源480W24V20AIndustrialDinRail
发布时间:2024-02-26
NDS331N
MMBD1504A
NUP4301MR6T1G
FDN338P
发布时间:2023-05-30
www.58chip.com
发布时间:2022-05-11
NE5532DRG4
发布时间:2021-11-13
www.hfxcom.com
发布时间:2021-10-25