摘要：NDS331N
MMBD1504A
NUP4301MR6T1G
FDN338P
NDS331N
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 1.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 500 mV
Qg-栅极电荷: 5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
