NE3514S02-T1D-A供应商库存(更新时间:2025-04-29 19:03)
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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NE3514S02-T1D-A
NEC
28895
SMD
1006+
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NE3514S02-T1D-A
RENESAS(瑞萨)/IDT
3000
S02
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NE3514S02-T1D-A
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3800
SMD
22+
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NE3514S02-T1D-A
NEC
18500
SMD
24+
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售
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深圳市宇创芯科技有限公司
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NE3514S02-T1D-A
NEC
9600
BGA
24+
原装现货,优势供应,支持实单!
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深圳市永贝尔科技有限公司
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NE3514S02-T1D-A
CEL
19960
原厂原包
23+
只做进口原装 终端工厂免费送样
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深圳市中赛美电子科技有限公司
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NE3514S02-T1D-A
NEC
7500
SMD
21+
只做原装所有货源可以追溯原厂
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NE3514S02-T1D-A
NEC
6000
SMD
23+
专业配单保证原装正品假一罚十
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NE3514S02-T1D-A
NEC
8800
SMD
2023+
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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NE3514S02-T1D-A
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50000
SMD
23+
全新原装正品现货,支持订货
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NE3514S02-T1D-A
47000
N/A
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一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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NE3514S02-T1D-A
NEC
28895
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所有报价以当天为准
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深圳市中福国际管理有限公司
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NE3514S02-T1D-A
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10000
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24+
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89630
SOP-8
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当天发货全新原装现货
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10000
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全新原装 公司现货 价格优
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NE3514S02-T1D-A参数规格
功能描述:射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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