NE3514S02-T1C-A供应商库存(更新时间:2025-04-30 08:59)
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深圳市威尔健半导体有限公司
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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明嘉莱只做原装正品现货
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深圳市中福国际管理有限公司
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进口原装现货,假一赔十
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京海半导体(深圳)有限公司
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原装现货假一罚十
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深圳市中福国际管理有限公司
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进口原装
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深圳市凌旭科技有限公司
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只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询!
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深圳市利芯伟业科技有限公司
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深圳市晨豪科技有限公司
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当天发货全新原装现货
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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明嘉莱只做原装正品现货
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深圳市永贝尔科技有限公司
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19960
原厂原包
23+
只做进口原装 终端工厂免费送样
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深圳深宇韬电子科技有限公司
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正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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深圳市亿联芯电子科技有限公司
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一级代理优势现货,全新正品直营店
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
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深圳市近平电子有限公司
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NEC
19
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深圳市宏兴瑞科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
联系人:谢云
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全新原装正品现货,支持订货
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深圳市威尔健半导体有限公司
联系人:苏经理
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深圳市星佑电子有限公司
联系人:李小姐
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全新原装 公司现货 价格优
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NE3514S02-T1C-A参数规格
功能描述:射频GaAs晶体管 SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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发布时间:2023-05-30
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NE5532DRG4
发布时间:2021-11-13
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发布时间:2021-10-25