NE350184C供应商库存(更新时间:2025-04-28 16:06)
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深圳市金嘉锐电子有限公司
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32560
微型-X 陶瓷 84C
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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NE350184C
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9000
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
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NE350184C
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25000
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深圳市永贝尔科技有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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NE350184C
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9000
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京海半导体(深圳)有限公司
联系人:熊小姐★★原厂授权一级分销★★
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10000
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原装现货假一罚十
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易创佳业科技(深圳)有限公司
联系人:唐先生
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NE350184C
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9000
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23+
原装正品,支持实单
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NE350184C参数规格
功能描述:射频GaAs晶体管 Low Noise HJ FET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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- 品牌 / 原厂
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