IXXN110N65C供应商库存(更新时间:2024-05-22 18:32)
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IXXN110N65C4H1
IXYS/艾赛斯
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IXXN110N65C4H1
IXYS
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IGBT650V210A750WSOT227B
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IXXN110N65C4H1
IXYS
1000
SOT-227
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IXYS-艾赛斯
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IXXN110N65C4H1
IXYS
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SOT227B
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IXXN110N65C4H1
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IXXN110N65C4H1
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IXXN110N65C参数规格
功能描述:IGBT 模块 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
IXXN110N65C4H1价格
参考价格:97.4274
型号:IXXN110N65C4H1
品牌:IXYS
说明:IXXN110N65C4H1多少钱,2024年最近一个月行情走势,IXXN110N65C4H1批发/采购报价,IXXN110N65C4H1行情走势销售排行榜,IXXN110N65C4H1报价。
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VMI是高压二极管,乘法器,光耦合器,整流器和高压电源的制造商。VMI(VmiVoltagemultipliersinc)1980年11月成立,专门生产高压二极管和超高压二极管,鉴于需要专门开发VMI高压产品,VMI在提供高压二极管,倍增器,光电二极管,陶瓷电容器和紧凑型高压电源方面拥有20多年
发布时间:2021-05-12