您好,欢迎来到97ic电子库存网!收藏本站
您所在的位置:首页型号索引第330页IXXN110N65C

IXXN110N65C供应商库存(更新时间:2024-05-22 18:32)

IXXN110N65C参数规格

功能描述:IGBT 模块 650V/234A Trench IGBT GenX4 XPT RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:

IXXN110N65C4H1价格

参考价格:97.4274

型号:IXXN110N65C4H1 品牌:IXYS 说明:IXXN110N65C4H1多少钱,2024年最近一个月行情走势,IXXN110N65C4H1批发/采购报价,IXXN110N65C4H1行情走势销售排行榜,IXXN110N65C4H1报价。

IXXN110N65C相关型号

IXXN110N65C相关品牌

IXXN110N65C相关新闻

IXYH24N170CV1

IXYH24N170CV1

发布时间:2023-05-24

IXGF20N300

IXGF20N300

发布时间:2022-11-24

IXYT30N450HV

IXYT30N450HV

发布时间:2022-11-24

IXTH80N20L

IXTH80N20L,通孔N通道200V80A(Tc)520W(Tc)TO-247(IXTH)

发布时间:2022-05-17

IXTA86N20X4功率 MOSFET

具有雪崩额定值并具有卓越的dV/dt性能

发布时间:2021-11-15

JANTX1N6513 QPL二极管

VMI是高压二极管,乘法器,光耦合器,整流器和高压电源的制造商。VMI(VmiVoltagemultipliersinc)1980年11月成立,专门生产高压二极管和超高压二极管,鉴于需要专门开发VMI高压产品,VMI在提供高压二极管,倍增器,光电二极管,陶瓷电容器和紧凑型高压电源方面拥有20多年

发布时间:2021-05-12