IXTY2R4N50P供应商库存(更新时间:2025-06-01 15:19)
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IXTY2R4N50P
IXYS-艾赛斯
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IXTY2R4N50P
IXYS
8600
TO-252AA(DPA
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IXTY2R4N50P
NK/南科功率
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国产
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IXTY2R4N50P
IXYS(艾赛斯)
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IXYS(艾赛斯)全系列在售
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IXTY2R4N50P
IXYS
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IXTY2R4N50P
IXYS/艾赛斯
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原装现货假一罚十
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IXTY2R4N50P
IXYS
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一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
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IXTY2R4N50P
IXYS
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IXTY2R4N50P参数规格
功能描述:MOSFET 2.4 Amps 500 V 3.5 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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PolarHVTM Power MOSFET
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