IXTT30N60P供应商库存(更新时间:2025-05-09 17:11)
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IXTT30N60P
IXYS
30000
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晶体管-分立半导体产品-原装正品
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IXTT30N60P
IXYS(艾赛斯)
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IXYS(艾赛斯)全系列在售
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IXTT30N60P
IXYS-艾赛斯
6328
TO-268
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库
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IXTT30N60P
IXYS
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IXTT30N60P
IXYS
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IXTT30N60P
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IXTT30N60P参数规格
功能描述:MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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