IXTT1N100供应商库存(更新时间:2024-04-29 17:18)
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IXTT1N100
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90000
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只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
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IXTT1N100
IXYS-艾赛斯
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IXTT1N100
IXYS
8866
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IXTT1N100
IXYS/艾赛斯
6000
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原装正品,支持实单
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深圳市创新迹电子有限公司
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IXTT1N100
IXYS/艾赛斯
25000
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只做原装进口现货,专注配单
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IXTT1N100
IXYS/艾赛斯
10000
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23+
公司只做原装正品
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IXTT1N100
IXYS/艾赛斯
6000
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十年配单,只做原装
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IXTT1N100
IXYS
19960
NA
23+
只做进口原装,终端工厂免费送样
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IXTT1N100参数规格
功能描述:MOSFET 1 Amps 1000V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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VMI是高压二极管,乘法器,光耦合器,整流器和高压电源的制造商。VMI(VmiVoltagemultipliersinc)1980年11月成立,专门生产高压二极管和超高压二极管,鉴于需要专门开发VMI高压产品,VMI在提供高压二极管,倍增器,光电二极管,陶瓷电容器和紧凑型高压电源方面拥有20多年
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