IXTP08N120P供应商库存(更新时间:2025-11-17 22:30)
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IXTP08N120P
IXYS-艾赛斯
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TO-220-3
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IXTP08N120P
IXYS(艾赛斯)
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IXYS(艾赛斯)全系列在售
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IXTP08N120P
IXYS
9000
TO2203
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IXTP08N120P
IXYS
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IXTP08N120P
IXYS
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TO-220
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IXTP08N120P
IXYS/艾赛斯
50000
TO-220
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原厂代理 终端免费提供样品
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IXTP08N120P
51000
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IXTP08N120P
IXYS
1675
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IXTP08N120P参数规格
功能描述:MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:Polar™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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TO-TO-220
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