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IXDR30N120D1供应商库存(更新时间:2024-04-29 23:00)

IXDR30N120D1参数规格

功能描述:IGBT 晶体管 30 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube

IXDR30N120D1价格

参考价格:44.9688

型号:IXDR30N120D1 品牌:Ixys 说明:IXDR30N120D1多少钱,2024年最近一个月行情走势,IXDR30N120D1批发/采购报价,IXDR30N120D1行情走势销售排行榜,IXDR30N120D1报价。

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