IRG4BC30KD-STRR供应商库存(更新时间:2025-05-01 14:00)
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IRG4BC30KD-STRR
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IRG4BC30KD-STRR
IR
6000
D2PAK
22+
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IRG4BC30KD-STRR
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5000
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Infineon Technologies
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IRG4BC30KD-STRR
IRF
19960
NA
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IRG4BC30KD-STRR
Infineon Technologies
7000
原装
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IRG4BC30KD-STRR
VISHAY-威世
78800
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IRG4BC30KD-STRR
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3000
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IRG4BC30KD-STRR参数规格
功能描述:IGBT W/DIODE 600V 28A RGHT D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A 电流 - 集电极(Ic)(最大):200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
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IRG4BC30KD-STRR
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IRF
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
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