IRFH5025供应商库存(更新时间:2024-05-05 17:06)
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IRFH5025
68900
QFN
IR
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IRFH5025
INFINEON
11000
NA
23+
功率MOSFET
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IRFH5025
IR
30000
DFN56G-8-EP
2022+
进口原装现货供应,原装 假一罚十
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深圳市博浩通科技有限公司
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IRFH5025
IR
69000
QFN
23+
全新原装现货热卖/代理品牌/可申请样品和规格书
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IRFH5025
IR
50000
DFN56G-8-EP
2022+
原厂代理 终端免费提供样品
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IRFH5025
IR
6000
QFN
22+
终端可免费供样,支持BOM配单
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深圳市百视威讯电子科技有限公司
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IRFH5025
46590
N/A
23+
正品授权货源可靠
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IRFH5025
Infineon(英飞凌)
9320
PQFN 5 x 6 B/G
23+
进口原装假一赔十可开增值票
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深圳市富安睿科技有限公司
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IRFH5025
英飞凌
6000
PG-TDSON-8
21+
绝对原裝现货
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深圳市安富世纪电子有限公司
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IRFH5025
IR
8000
QFN
23+
只做原装现货
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京海半导体(深圳)有限公司
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IRFH5025
IR
10000
QFN
21+
原装现货假一罚十
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深圳市晨豪科技有限公司
联系人:罗先生/严小姐/叶先生/邹先生
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地址:深圳市福田区中航路新亚洲电子商城一期2A103
IRFH5025
INFINEON/英飞凌
89630
DFN
23+
当天发货全新原装现货
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深圳市华来深电子有限公司
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IRFH5025
IR
8560
QFN
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受权代理!全新原装现货特价热卖!
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无锡固电半导体股份有限公司
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IRFH5025
isc
9000
DFN5×6
2024
国产品牌isc,可替代原装
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询价
IRFH5025参数规格
功能描述:MOSFET MOSFT 250V 31A 104mOhm 36nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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手机:13787628849
邮箱:pc@szruizhixin.com
地址:深圳市福田区中航路42号中航北苑大厦A座6A2
型号:IRFH5020TRPBF
类别分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET-单个
制造商InfineonTechnologies
包装:4000
封装:8-PowerTDFN
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製造商:Infineon
產品類型:MOSFET
RoHS:詳細資料
技術:Si
安裝風格:SMD/SMT
封裝/外殼:SOT-223-4
晶體管極性:N-Channel
通道數:1Channel
Vds-漏-源擊穿電壓:100V
Id-C連續漏極電流:1.6A
RdsOn-漏-源電阻:200mOhms
Vgs-閘極-源極電壓:-20
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N-Channel30A600VMOSFET,1.2kVMOSFET,-20V,+20VMOSFET,PowerPAK-SO-81ChannelN-ChannelMOSFET,10A150VMOSFET,SO-8SMD/SMTN-Channel60VMOSFET
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