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IRFB4410ZPBF

来源: 深圳市维基鸿电子有限公司 发布时间:2021-12-30

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摘要:IRFB4410ZPBF INFINEON/英飞凌 TO-220 21+ 数量:3000
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
97A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9 毫欧 @ 58A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 150μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
120 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4820 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
230W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3

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