IRFBE20STRR供应商库存(更新时间:2025-04-27 17:21)
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78800
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3000
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IRFBE20STRR参数规格
功能描述:MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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型号:IRFH5020TRPBF
类别分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET-单个
制造商InfineonTechnologies
包装:4000
封装:8-PowerTDFN
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