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IRF830STRR供应商库存（更新时间：2025-06-27 15:01）

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深圳市安富世纪电子有限公司

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联系人：赵妍

电话：0755-23991454

手机：18100277303

QQ：

地址：深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17E
IRF830STRRPBF
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8000
TO-263
23+
只做原装现货
询价

天津市博通航睿技术有限公司

天津市博通航睿技术有限公司

联系人：马总

电话：18322198211

手机：18322198211

QQ：

地址：天津市南开区科研西路12号356室
IRF830STRRPBF
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7000
TO-263
23+
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深圳市河锋鑫科技有限公司

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联系人：杨小姐

电话：0755-23933424

手机：13430590551

QQ：

地址：深圳市福田区华强北街道福强社区华强北路1078号现代之窗A座、B座A座9D
IRF830STRRPBF
IR
6000
TO-263
22+
终端可免费供样,支持BOM配单
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IRF830STRR参数规格

功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK RoHS:否类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件