HAT2168H-EL-E供应商库存(更新时间:2026-03-26 22:58)
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地址:深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦10层I
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地址:深圳市福田区红荔路上步工业区501栋407
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地址:深圳市福田区振兴路113号新欣大厦B座318
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深圳市正纳电子有限公司
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地址:深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋603室
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深圳市亿联芯电子科技有限公司
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深圳市河锋鑫科技有限公司
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深圳市富利微电子科技有限公司
联系人:肖先生/朱小姐
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地址:深圳市福田区华强北路赛格广场4501A室
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HAT2168H-EL-E参数规格
功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 5LFPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
HAT2168H-EL-E价格
参考价格:5.4214
型号:HAT2168H-EL-E
品牌:Renesas
说明:HAT2168H-EL-E多少钱,2026年最近一个月行情走势,HAT2168H-EL-E批发/采购报价,HAT2168H-EL-E行情走势销售排行榜,HAT2168H-EL-E报价。
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HAT2168H-EL-E相关新闻
HBM 需求仍激增:三星、SK 海力士领先
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HBDM60V600W-7
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