FQE10N20LCTU资料使用说明书原装现货FAIRCHILD-97IC电子库存网

FQE10N20LCTU供应商库存（更新时间：2026-03-05 11:08）

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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FQE10N20LCTU
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21000
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深圳市得捷芯城科技有限公司

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FQE10N20LCTU
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深圳市高捷芯城科技有限公司

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FQE10N20LCTU
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20948
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深圳市安富世纪电子有限公司

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FQE10N20LCTU
Fairchild/ON
8000
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深圳市河锋鑫科技有限公司

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FQE10N20LCTU
Fairchild/ON
9000
TO225AA TO1263
22+
原厂渠道,现货配单
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深圳市河锋鑫科技有限公司

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联系人：杨小姐

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FQE10N20LCTU
FAIRCHILD/仙童
6000
TO-126
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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FQE10N20LCTU
FAIRCHILD
12300
TO-126
25+
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FQE10N20LCTU参数规格

功能描述:MOSFET N-CH 200V 4A TO-126 RoHS:是类别:分离式半导体产品 >> FET - 单系列:QFET™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件