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FQB33N10
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 33 A
Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 40 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 3.75 W
通道模式: Enhancement
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi / Fairchild
配置: Single
下降时间: 120 ns
正向跨导 - 最小值: 27 S
高度: 4.83 mm
长度: 10.67 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 470 ns
FDS2572
FQB33N10TM
FQB33N10LTM
FQB33N10
2SC2383Y
2SC2383YTA
BC547BTF
LM324AM
2N5088
2N5088BU
2N5089BU
FDA70N20
FSUSB30UMX
FQP33N10
5Q1265RF
FZT749
FAN3989MLP8X
FQPF30N06L
ES1F
1M0880
DM74LS74AM
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