FD401R17KF6C-B2供应商库存(更新时间:2025-08-14 10:13)
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深圳市汇莱威科技有限公司
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深圳市骏创达科技有限公司
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现代芯城(深圳)科技有限公司
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现代芯城(深圳)科技有限公司
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北京光敏源科技有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市华斯顿科技有限公司
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上海市鑫鸿达电子
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深圳市拓亿芯电子有限公司
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深圳市富利微电子科技有限公司
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深圳市恒佳微电子有限公司
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深圳市创新迹电子有限公司
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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深圳市明嘉莱科技有限公司
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深圳市联世界科技有限公司
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深圳市拓亿芯电子有限公司
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深圳市勤思达科技有限公司
联系人:朱小玲
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中天科工半导体(深圳)有限公司
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FD401R17KF6C-B2参数规格
功能描述:IGBT 模块 1700V 400A CHOPPER RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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FD401R17KF6C-B2
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FD401R17KF6C-B2相关新闻
FCR684205T
发布时间:2023-10-17
FDB070AN06A0是一款功率MOSFET芯片,具有高功率密度、低导通电阻、快速开关速度、低漏电流和高温工作能力等特点。它适用于功率转换和控制的应用,如电源管理、电机驱动、逆变器和电动车辆等领域。
发布时间:2023-06-21
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发布时间:2021-11-08