2PS04012E32G28175供应商库存(更新时间:2025-11-03 23:00)
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2PS04012E32G28175参数规格
功能描述:IGBT 模块 1x 311A AC at 400V AC Forced Air RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装 / 箱体:34MM 封装:
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商品目录 气体放电管(GDT)
脉冲放电电流 3kA
直流击穿电压(最小值) -
极间电容 1pF
电极数 2
直流击穿电压(最大值) -
直流击穿电压(典型值) 75V
精度 ±20%
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2RL600L-5,全新.当天发货或门市自取,如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五,八五二七四六六二 ,企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.
发布时间:2021-06-15