2N7002T,215供应商库存（更新时间：2025-05-28 16:30）
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深圳市一线半导体有限公司
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2N7002T,215参数规格
功能描述:MOSFET TAPE7 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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商品目录气体放电管（GDT）
脉冲放电电流3kA
直流击穿电压(最小值)-
极间电容1pF
电极数2
直流击穿电压(最大值)-
直流击穿电压(典型值)75V
精度±20%
发布时间：2021-07-07
