STB200N4F3供应商库存(更新时间:2024-05-23 14:18)
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深圳市惊羽科技有限公司
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深圳市兴灿科技有限公司
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司
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深圳和润天下电子科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市金胜达微科技有限公司
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深圳市科芯源微电子有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司
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深圳兆威电子有限公司
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深圳市易讯博科技有限公司
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深圳市鼎欣微电子有限公司
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STB200N4F3参数规格
功能描述:MOSFET N-Ch, 40V-0.0035ohms 120A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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