STB43N65M5

品牌
ST/意法半导体
封装
D2PAK-3
批号
2023+
数量
20000
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
D2PAK-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
63 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Qg-栅极电荷
100 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
系列
STB43N65M5
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
下降时间
19 ns
上升时间
15 ns
典型关闭延迟时间
12 ns
典型接通延迟时间
73 ns
单位重量
2.240 g
可售卖地
全国
型号
STB43N65M5